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电子元器件详细资料 » IC[16558] » DMP21D0UFB4-7B
型号:DMP21D0UFB4-7B类别:FET - 单制造商:Diodes Inc
封装:3-XFDFN描述:MOSF P CH 20V 770MA DFN1006H4-3

详细参数

类别FET - 单
描述MOSF P CH 20V 770MA DFN1006H4-3
系列-
制造商Diodes Inc
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C770mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C495 毫欧 @ 400mA,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大222700mV @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs1.54nC @ 8V
输入电容(Ciss)0a0Vds80pF @ 10V
功率_最大430mW
安装类型表面贴装
封装/外壳3-XFDFN
供应商设备封装3-DFN1006H4(1.0x0.6)
包装剪切带 (CT)

供应商

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DMP21D0UFB4-7B相关型号

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